碳化硅行業(yè)：碳中和趨勢(shì)的主要受益者，5年市場(chǎng)規(guī)模有望翻5倍

碳化硅（SiC）作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，具備禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高等特點(diǎn)，SiC器件較傳統(tǒng)硅基器件可具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于新能源車(chē)、光伏/風(fēng)電、工控、射頻等領(lǐng)域。由于技術(shù)遷移成本高、價(jià)格高企、產(chǎn)能緊張等因素，華泰證券認(rèn)為碳化硅仍處于滲透早期，當(dāng)前主要應(yīng)用于中高端新能源車(chē)、充電樁及基站射頻等領(lǐng)域，我們預(yù)計(jì)全球SiC器件市場(chǎng)規(guī)模2025年將達(dá)59.79億美元，較2020年翻5倍。

碳化硅器件：成本下滑帶動(dòng)滲透率迅速提升，800V架構(gòu)成為重要催化劑

我們預(yù)測(cè)2025年全球新能源車(chē)SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)30.05億美元，目前主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)中高端車(chē)型，主要場(chǎng)景為主逆變器/OBC，我們預(yù)計(jì)至2025年SiC滲透率有望達(dá)38/43%，我們認(rèn)為其主要驅(qū)動(dòng)力為1）頭部新能源車(chē)廠的“示范效應(yīng)”；2）碳化硅器件價(jià)格下降后帶來(lái)系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)效益；3）800V架構(gòu)有望成為重要催化劑，1200V SiC在高壓下較IGBT性能優(yōu)勢(shì)更為明顯。我們測(cè)算2025年全球新能源車(chē)消耗SiC襯底數(shù)量將達(dá)199.6萬(wàn)片/年，考慮到當(dāng)前有效導(dǎo)電型襯底產(chǎn)能仍然稀缺，我們預(yù)計(jì)SiC功率器件供需偏緊格局將保持相當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間。

碳化硅材料：全球加速擴(kuò)產(chǎn)“跑馬圈地”，關(guān)注稀缺的有效產(chǎn)能

SiC襯底和外延技術(shù)壁壘較高，存在長(zhǎng)晶速度慢、擴(kuò)徑難度高、雜質(zhì)控制難度高等難點(diǎn)。目前行業(yè)處于寡頭壟斷局面，行業(yè)龍頭占據(jù)全球SiC材料超過(guò)60%市場(chǎng)份額（根據(jù)Yole）。我們測(cè)算2020年SiC材料市場(chǎng)規(guī)模5.92億美元，2025年將達(dá)29.90億美元，CAGR為38.2%。我們認(rèn)為1）目前全球SiC材料處于跑馬圈地階段，海內(nèi)外加速擴(kuò)產(chǎn)，國(guó)內(nèi)遠(yuǎn)期規(guī)劃年產(chǎn)能超400萬(wàn)片/年，建議關(guān)注重複建設(shè)問(wèn)題；2）雖然國(guó)內(nèi)產(chǎn)能規(guī)劃量很大，但是由于良率及襯底品質(zhì)原因，國(guó)內(nèi)有效產(chǎn)能仍然稀缺，尤其是導(dǎo)電型襯底，我們認(rèn)為中長(zhǎng)期行業(yè)能達(dá)到45%-50%毛利率，建議關(guān)注具備優(yōu)質(zhì)產(chǎn)能的龍頭。

關(guān)注國(guó)內(nèi)碳化硅器件及產(chǎn)業(yè)鏈廠商的投資機(jī)會(huì)

根據(jù)我們測(cè)算，在碳中和大趨勢(shì)的推動(dòng)下，全球碳化硅器件/材料市場(chǎng)規(guī)模到2025年分別有望達(dá)到59.79/29.90億美元，2021-2025年CAGR為38.2/38.2%，呈現(xiàn)高速發(fā)展態(tài)勢(shì)。我們建議投資人關(guān)注：1）具備較強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈及客戶基礎(chǔ)的SiC功率器件廠商；2）“跑馬圈地”模式下具備稀缺有效產(chǎn)能的材料公司；3）相關(guān)設(shè)備公司。

標(biāo)簽： 華泰證券